Flash-Speicher: Neuer UFS-Standard macht internen Speicher schneller

Die Speicher von Smartphones werden künftig doppelte Datenraten erreichen, da der neue Standard „Universal Flash Storage 3.0“ den „Gear4-Modus“ unterstützt. Dies erklärte das Speichergremium Jedec, welches gleichzeitig erweiterte Funktionen bei UFS 3.0 für Autos einführte.

2,4 GByte beim Lesen und Schreiben möglich

Jedec, ein Gremium mit Mitgliedern aus über 300 Unternehmen, hat den neuen Standard für Flash-Speicher publik gemacht. Der global führende Entwickler von Standards der Mikroelektronikindustrie legt damit aktuellere Spezifikationen für einen Typ von NAND-Flash-Speicher fest. Diese Speicherart ist jene, die in Smartphones zum Einsatz kommt.

Neben einer verdoppelten Geschwindigkeit steht UFS 3.0 für einen erweiterten Embedded-Einsatz des Universal Flash Storage im Fahrzeugbereich. UFS benutzt zwei Lanes. Bislang, unter UFS 2.0, liefen diese im Gear3-Modus mit 5,8 GBit/s (725 MByte/s) pro Bahn. Nun kommt Gear4 mit 11,6 GBit/s pro Lane. Insgesamt schafft ein Chip mit Universal Flash Storage 3.0 also 23,2 GBit/s (2,9 GByte/s). Da jedoch noch Overhead und 8b10b-Codierung eingerechnet werden müssen, wird mit einer effektiven Transferrate bei sequenziellen Übertragungen von etwa 2,4 GByte gerechnet. Diese soll für Lese- und Schreibzugriffe gelten.

Anpassung an aktuelle NAND-Technik

Mit der Veröffentlichung von UFS 3.0 ging die Einführung von UFS Card Extension v1.1 einher. Dieser Speicherstandard sieht so ähnlich aus wie Micro-SD-Karten und arbeitet höchstens im Gear3-Modus mit einer Lane ( 5,8 GBit/s). Für den v1.1-Standard der Erweiterungskarten wurde unter anderem eine Power-Definition geändert. Details dazu können nur Jedec-Mitglieder einsehen ohne mehrere hundert Dollar für die entsprechenden Dokumentationen zu zahlen.

Öffentlich bekannt sind dagegen einige weitere Änderungen bei Universal Flash Storage 3.0. So kommt dort eine VCC-Spannung von 2,5 Volt zum Einsatz, für die weniger Leistung aufgenommen werden muss. Der Standard gilt außerdem als Vorbereitung auf neue NAND-Technik – etwa 3D-Flash-Speicher, die über viele Zellschichten und hohe Kapazität verfügen. Im Fahrzeugbereich wird UFS 3.0 eine höhere Temperaturspanne abdecken, nämlich dann von -40 bis +105 Grad Celsius.

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